Название: Thin Film Transistor ISBN: 3039215264 ISBN-13(EAN): 9783039215263 Издательство: Неизвестно Рейтинг: Цена: 46010.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Автор: Bahl, Inder Название: Fundamentals of rf and microwave transistor amplifiers ISBN: 0470391669 ISBN-13(EAN): 9780470391662 Издательство: Wiley Рейтинг: Цена: 168910.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: Includes extensive design information in the form of equations, tables, graphs and examples. Offers an in-depth study of amplifiers. Simple design equations are included to help understand design concepts. Practical and simple to understand examples with over 70 fully solved.
Автор: Supriya Karmakar Название: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor ISBN: 8132216342 ISBN-13(EAN): 9788132216346 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 121110.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: This book explores fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter, introduces a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model and simulation of advanced circuits.
Автор: G?nter Kompa Название: Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models ISBN: 1630817449 ISBN-13(EAN): 9781630817442 Издательство: Artech House Рейтинг: Цена: 140450.00 T Наличие на складе: Невозможна поставка. Описание: Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models Microwave G?nter Kompa 12/2019 149.00 Hardcover 9781630817442 570 "Introduction; Transistor Concepts; Classification of Transistor Models; Classical Shockley Model and Enhanced Modifications; Extrinsic Transistor DC Network; Estimation of FET Model Element Values; Transistor Model Complexity; Reliable Estimates of Model Parameters from Low-Frequency; Small-Signal Measurement Techniques; Uncertainties in the Device Modeling Process; Optimization Methods for Model Parameter Extraction; Extraction Methods; All-At-Once Model Parameter Extraction; Decomposition-Based Model Parameter Extraction; Bidirectional Search Method; Pure Analytical Model Parameter Extraction; Analytical Model Parameter Extraction Using Rational Functions; Repetitive Random Optimization with Adaptive Search Space; Frequency Scanning for Bias-Dependence Analysis
Автор: Henk C. de Graaff; Francois M. Klaassen Название: Compact Transistor Modelling for Circuit Design ISBN: 3709190452 ISBN-13(EAN): 9783709190456 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 81050.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: Despite the resulting progress in device optimization, the above approach fails to provide a required compact set of device design and process control rules and a compact circuit model for the analysis of large-scale electronic designs.
Автор: Andrea Spanu Название: Organic Transistor Devices for In Vitro Electrophysiological Applications ISBN: 3319288792 ISBN-13(EAN): 9783319288796 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 121890.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: This thesis reports on a novel system forextracellular recordings of the activity of excitable cells, which relies on anorganic, charge-modulated field-effect transistor (FET) called OCMFET.
Автор: Supriya Karmakar Название: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor ISBN: 8132234901 ISBN-13(EAN): 9788132234906 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 95770.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: This book explores fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter, introduces a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model and simulation of advanced circuits.
Автор: Lining Zhang; Mansun Chan Название: Tunneling Field Effect Transistor Technology ISBN: 3319316516 ISBN-13(EAN): 9783319316512 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 107130.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.
Автор: Keng C. Wu Название: Transistor Circuits for Spacecraft Power System ISBN: 1461353858 ISBN-13(EAN): 9781461353850 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 139750.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: As a stand-alone volume, Transistor Circuits For Spacecraft Power System presents numerous transistor circuits and building blocks associated with power electronics in general, and examines the major subsystem components for solar-based spacecraft power systems.
Автор: Prakash Gopalakrishnan; Rob A. Rutenbar Название: Direct Transistor-Level Layout for Digital Blocks ISBN: 1475779518 ISBN-13(EAN): 9781475779516 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 93160.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: The approach described in this book can pack devices much more densely than a typical cell-based layout.Direct Transistor-Level Layout For Digital Blocks is a comprehensive reference work on device-level layout optimization, which will be valuable to CAD tool and circuit designers.
Казахстан, 010000 г. Астана, проспект Туран 43/5, НП2 (офис 2) ТОО "Логобук" Тел:+7 707 857-29-98 ,+7(7172) 65-23-70 www.logobook.kz