Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models, G?nter Kompa

Автор: Keng C. Wu
Название: Transistor Circuits for Spacecraft Power System
ISBN: 1461353858 ISBN-13(EAN): 9781461353850
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 139750.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: As a stand-alone volume, Transistor Circuits For Spacecraft Power System presents numerous transistor circuits and building blocks associated with power electronics in general, and examines the major subsystem components for solar-based spacecraft power systems.

Автор: R. Schmidt
Название: Advances in Nonlinear Parameter Optimization
ISBN: 3540113967 ISBN-13(EAN): 9783540113966
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 81050.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Han-Xiong Li; Chenkun Qi
Название: Spatio-Temporal Modeling of Nonlinear Distributed Parameter Systems
ISBN: 9401782547 ISBN-13(EAN): 9789401782548
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 107130.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This volume provides a brief review of the previous work on model reduction and identification of DPS, and develops new spatio-temporal models and their relevant identification approaches. All modeling approaches are applied to industrial thermal processes.

Автор: Thompson
Название: Transistor Scaling
ISBN: 1558998691 ISBN-13(EAN): 9781558998698
Издательство: Cambridge Academ
Рейтинг:
Цена: 33790.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This book shares results and physical models related to MOSFETs and to discuss innovative approaches necessary to continue the transistor scaling. Expanded versions of presentations in the areas of technology development are featured

Автор: Wladyslaw Grabinski; Bart Nauwelaers; Dominique Sc
Название: Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
ISBN: 9048171482 ISBN-13(EAN): 9789048171484
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 104480.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The book can be recommended to everyone who is involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization.

Автор: Henk C. de Graaff; Francois M. Klaassen
Название: Compact Transistor Modelling for Circuit Design
ISBN: 3709190452 ISBN-13(EAN): 9783709190456
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 81050.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Despite the resulting progress in device optimization, the above approach fails to provide a required compact set of device design and process control rules and a compact circuit model for the analysis of large-scale electronic designs.

Автор: Prakash Gopalakrishnan; Rob A. Rutenbar
Название: Direct Transistor-Level Layout for Digital Blocks
ISBN: 1475779518 ISBN-13(EAN): 9781475779516
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 93160.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: The approach described in this book can pack devices much more densely than a typical cell-based layout.Direct Transistor-Level Layout For Digital Blocks is a comprehensive reference work on device-level layout optimization, which will be valuable to CAD tool and circuit designers.

Автор: Lining Zhang; Mansun Chan
Название: Tunneling Field Effect Transistor Technology
ISBN: 3319316516 ISBN-13(EAN): 9783319316512
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 107130.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.

Автор: Bahl, Inder
Название: Fundamentals of rf and microwave transistor amplifiers
ISBN: 0470391669 ISBN-13(EAN): 9780470391662
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 168910.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Includes extensive design information in the form of equations, tables, graphs and examples. Offers an in-depth study of amplifiers. Simple design equations are included to help understand design concepts. Practical and simple to understand examples with over 70 fully solved.