Crystals, Electrons, Transistors, Michael Eckert; Helmut Schubert

Автор: Michael Eckert; Helmut Schubert
Название: Crystals, Electrons, Transistors
ISBN: 0883187191 ISBN-13(EAN): 9780883187197
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 47880.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: S.D. Brotherton
Название: Introduction to Thin Film Transistors: Physics and Technology of TFTs
ISBN: 3319000012 ISBN-13(EAN): 9783319000015
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 69870.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book surveys the technology and applications of TFTs, covering hydrogenated amorphous silicon, poly-crystalline silicon, transparent amorphous oxide semiconductors, organic semiconductors and others that form the core of the flat panel display industry.

Автор: Seongil Im, Youn-Gyoung Chang, Jae Hoon Kim
Название: Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors (SpringerBriefs in Physics)
ISBN: 9400763913 ISBN-13(EAN): 9789400763913
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 43530.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Solid state field-effect devices such as organic and inorganic-channel thin-film transistors (TFTs) have been expected to promote advances in display and sensor electronics.

Автор: Cherie R. Kagan, Paul Andry
Название: Thin-film transistors
ISBN: 0824709594 ISBN-13(EAN): 9780824709594
Издательство: Taylor&Francis
Рейтинг:
Цена: 265410.00 T
Наличие на складе: Невозможна поставка.
Описание: This is a single-source treatment of developments in TFT production from international specialists

Автор: Amit Chaudhry
Название: Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
ISBN: 1493944827 ISBN-13(EAN): 9781493944828
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 113180.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book covers principles and theory of nanoscale transistors, including quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization and solutions like high-k and strained-Si technology, alternate structures and graphene technology. Includes case studies.

Автор: Platt Charles
Название: Encyclopedia of Electronic Components Volume 2: Diodes, Transistors, Chips, Light, Heat, and Sound Emitters
ISBN: 1449334180 ISBN-13(EAN): 9781449334185
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 25330.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Want to know how to use an electronic component? This second book of a three-volume set includes key information on electronics parts for your projects - complete with photographs, schematics, and diagrams. You`ll learn what each one does, how it works, why it`s useful, and what variants exist.

Автор: Valizadeh Pouya
Название: Field Effect Transistors, a Comprehensive Overview
ISBN: 1119155495 ISBN-13(EAN): 9781119155492
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 121390.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book discusses modern-day Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) and future trends of transistor devices. This book provides an overview of Field Effect Transistors (FETs) by discussing the basic principles of FETs and exploring the latest technological developments in the field.

Автор: Tarek Zaki
Название: Short-Channel Organic Thin-Film Transistors
ISBN: 3319369806 ISBN-13(EAN): 9783319369808
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 87060.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This work takes advantage of high-resolution silicon stencil masks to build air-stable complementary OTFTs using a low-temperature fabrication process. the masks exhibit excellent stiffness and stability, thus allowing OTFTs with submicrometer channel lengths and superb device uniformity to be patterned.

Автор: Michael Reisch
Название: High-Frequency Bipolar Transistors
ISBN: 364263205X ISBN-13(EAN): 9783642632051
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 191560.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This modern book-length treatment gives a detailed presentation of high-frequency bipolar transistors in silicon or silicon-germanium technology, with particular emphasis placed on today`s advanced compact models and their physical foundations.

Автор: Mark Lundstrom; Jing Guo
Название: Nanoscale Transistors
ISBN: 1441939156 ISBN-13(EAN): 9781441939159
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 113180.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: To push MOSFETs to their scaling limits and to explore devices that may complement or even replace them at molecular scale, a clear understanding of device physics at nanometer scale is necessary.

Автор: Tobias Erlbacher
Название: Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
ISBN: 3319345206 ISBN-13(EAN): 9783319345208
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 95770.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book details and compares recent advancements in the development of novel lateral power transistors (LDMOS devices) for integrated circuits in power electronic applications. It includes the state-of-the-art concept of double-acting RESURF topologies.

Автор: Geert Hellings; Kristin De Meyer
Название: High Mobility and Quantum Well Transistors
ISBN: 9400763395 ISBN-13(EAN): 9789400763395
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 121890.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book explores the use of high mobility semiconductors such as germanium and III-V materials, the need to redesign transistors to work with such materials and the appropriateness of Quantum Well-based transistors for this new stage of transistor evolution.