Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs, Serge Oktyabrsky; Peide Ye

Автор: Takahiro Numai
Название: Fundamentals of Semiconductor Lasers
ISBN: 4431551476 ISBN-13(EAN): 9784431551478
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 121890.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319011642 ISBN-13(EAN): 9783319011646
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 111790.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Автор: Juin Jei Liou; Adelmo Ortiz-Conde; Francisco Garci
Название: Analysis and Design of MOSFETs
ISBN: 1461374731 ISBN-13(EAN): 9781461374732
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 148020.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).

Автор: Wilfried H?nsch
Название: The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
ISBN: 3709190975 ISBN-13(EAN): 9783709190975
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 95770.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semiconductor devices.

Автор: Jacopo Franco; Ben Kaczer; Guido Groeseneken
Название: Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
ISBN: 9400776624 ISBN-13(EAN): 9789400776623
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 111790.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book explores the reliability of novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. It proposes a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.