Автор: J. Meese Название: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors ISBN: 1468482513 ISBN-13(EAN): 9781468482515 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 87070.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: This volume contains the invited and contributed papers presented at the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors held April 23-26, 1978 at the University of Missouri-Columbia.
Автор: Robert D. Larrabee Название: Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials ISBN: 1461296757 ISBN-13(EAN): 9781461296751 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 81050.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: In addition, four papers were pre- sented on NTD of nonsilicon semiconductors, five papers on irra- diation technology, three papers on practical utilization of NTD silicon, four papers on the characterization of NTD silicon, and five papers on neutron damage and annealing.
Автор: Gordon J. Kearley; Vanessa K. Peterson Название: Neutron Applications in Materials for Energy ISBN: 3319066552 ISBN-13(EAN): 9783319066554 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 121890.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: Neutron Applications in Materials for Energy
Казахстан, 010000 г. Астана, проспект Туран 43/5, НП2 (офис 2) ТОО "Логобук" Тел:+7 707 857-29-98 ,+7(7172) 65-23-70 www.logobook.kz
