Автор: J. Meese Название: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors ISBN: 1468482513 ISBN-13(EAN): 9781468482515 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 87070.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: This volume contains the invited and contributed papers presented at the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors held April 23-26, 1978 at the University of Missouri-Columbia.
Автор: Gordon J. Kearley; Vanessa K. Peterson Название: Neutron Applications in Materials for Energy ISBN: 3319066552 ISBN-13(EAN): 9783319066554 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 121890.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: Neutron Applications in Materials for Energy
Автор: Robert D. Larrabee Название: Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials ISBN: 1461296757 ISBN-13(EAN): 9781461296751 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 81050.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: In addition, four papers were pre- sented on NTD of nonsilicon semiconductors, five papers on irra- diation technology, three papers on practical utilization of NTD silicon, four papers on the characterization of NTD silicon, and five papers on neutron damage and annealing.
Казахстан, 010000 г. Астана, проспект Туран 43/5, НП2 (офис 2) ТОО "Логобук" Тел:+7 707 857-29-98 ,+7(7172) 65-23-70 www.logobook.kz
