Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7 707 857-29-98
  +7(7172) 65-23-70
  10:00-18:00 пн-пт
  shop@logobook.kz
   
    Поиск книг                        
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Бестселлеры | |
 

Phase Change Memory, Andrea Redaelli


Варианты приобретения
Цена: 149060.00T
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: 151 шт.  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Andrea Redaelli
Название:  Phase Change Memory
ISBN: 9783319690520
Издательство: Springer
Классификация:





ISBN-10: 3319690523
Обложка/Формат: Hardcover
Страницы: 348
Вес: 0.67 кг.
Дата издания: 28.11.2017
Язык: English
Издание: 1st ed. 2018
Иллюстрации: 40 tables, color; 196 illustrations, color; 24 illustrations, black and white; xviii, 330 p. 220 illus., 196 illus. in color.
Размер: 234 x 156 x 21
Читательская аудитория: Postgraduate, research & scholarly
Основная тема: Materials Science
Подзаголовок: Device Physics, Reliability and Applications
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This book describes the physics of phase change memory devices, starting from basic operation to reliability issues. The book gives a comprehensive overlook of PCM with particular attention to the electrical transport and the phase transition physics between the two states. The book also contains design engineering details on PCM cell architecture, PCM cell arrays (including electrical circuit management), as well as the full spectrum of possible future applications.
Дополнительное описание: Chapter 1. Memory overview and PCM introduction.- Chapter 2.Electrical transport in crystalline and amorphous chalcogenides.- Chapter 3.Thermal model and remarkable temperature effects on calcogenide alloys.- Chapter 4.Self-consistent numerical model.- Ch


Memory-Based Logic Synthesis

Автор: Sasao
Название: Memory-Based Logic Synthesis
ISBN: 1441981039 ISBN-13(EAN): 9781441981035
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 130280.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book describes the synthesis of logic functions using memories. It is useful to design field programmable gate arrays (FPGAs) that contain both small-scale memories, called look-up tables (LUTs), and medium-scale memories, called embedded memories. This is a valuable reference for both FPGA system designers and CAD tool developers, concerned with logic synthesis for FPGAs.

Phase Change Materials

Автор: Simone Raoux; Matthias Wuttig
Название: Phase Change Materials
ISBN: 1441946594 ISBN-13(EAN): 9781441946591
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 121890.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: "Phase Change Materials: Science and Applications" provides a unique introduction of this rapidly developing field. This clearly written volume describes the material science of these fascinating materials from a theoretical and experimental perspective.

Ti-Sb-Te Phase Change Materials: Component Optimisation, Mechanism and Applications

Автор: Min Zhu
Название: Ti-Sb-Te Phase Change Materials: Component Optimisation, Mechanism and Applications
ISBN: 9811043817 ISBN-13(EAN): 9789811043819
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 102480.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book introduces a novel Ti-Sb-Te alloy for high-speed and low-power phase-change memory applications, which demonstrates a phase-change mechanism that differs significantly from that of conventional Ge2Sb2Te5 and yields favorable overall performance.

NAND Flash Memory Technologies

Автор: Aritome Seiichi
Название: NAND Flash Memory Technologies
ISBN: 1119132606 ISBN-13(EAN): 9781119132608
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 120330.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание:

  • Offers a comprehensive overview of NAND flash memories, with insights into NAND history, technology, challenges, evolutions, and perspectives
  • Describes new program disturb issues, data retention, power consumption, and possible solutions for the challenges of 3D NAND flash memory
  • Written by an authority in NAND flash memory technology, with over 25 years' experience


Казахстан, 010000 г. Астана, проспект Туран 43/5, НП2 (офис 2)
ТОО "Логобук" Тел:+7 707 857-29-98 ,+7(7172) 65-23-70 www.logobook.kz
Kaspi QR
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия