Transport Properties of Molecular Junctions, Natalya A. Zimbovskaya

Автор: D. Fraser Keppie
Название: The Analysis of Diffuse Triple Junction Zones in Plate Tectonics and the Pirate Model of Western Caribbean Tectonics
ISBN: 1461496152 ISBN-13(EAN): 9781461496151
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26110.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Modern researchers in plate tectonics may be concerned with the analysis of distributed deformation across diffuse plate boundaries and triple junction zones. These methods are then applied to the tectonic evolution of western Caribbean region which provides new ways to test and challenge the established Pacific model of Caribbean tectonics.

Автор: B.L. Sharma
Название: Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications
ISBN: 1468446576 ISBN-13(EAN): 9781468446579
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 95770.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: The present-day semiconductor technology would be inconceivable without extensive use of Schottky barrier junctions.

Автор: Johannes Giesecke
Название: Quantitative Recombination and Transport Properties in Silicon from Dynamic Luminescence
ISBN: 3319061569 ISBN-13(EAN): 9783319061566
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 139750.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Harmonically modulated luminescence combines the advantages of highly sensitive luminescence metrology with an immediate dynamic access to carrier lifetime in semiconductors at a minimum of required a priori information.

Автор: Eckehard Sch?ll
Название: Theory of Transport Properties of Semiconductor Nanostructures
ISBN: 1461376610 ISBN-13(EAN): 9781461376613
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 174150.00 T
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Hydrodynamic moment equations (Chapter 2), Monte Carlo techniques (Chapter 3) and the cellular au- tomaton approach (Chapter 4) are introduced and illustrated with applications to nanometre structures and device simulation.