Автор: Roman Louban Название: Image Processing of Edge and Surface Defects ISBN: 3642260357 ISBN-13(EAN): 9783642260353 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 104480.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: The edge and surface inspection is one of the most important and most challenging tasks in quality assessment in industrial production. Providing a valuable reference, this book offers a detailed description of optical methods for defect recognition.
Автор: Kelly, A. Groves, G.w. Kidd, P. (queen Mary And We Название: Crystallography and crystal defects ISBN: 0471720445 ISBN-13(EAN): 9780471720447 Издательство: Wiley Рейтинг: Цена: 95040.00 T Наличие на складе: Поставка под заказ. Описание: The study of form and structure of crystals is multidisciplinary and therefore important in the study of physics, chemistry, molecular biology, materials science and mineralogy. This book combines aspects of crystallography, solid state physics and engineering.
Автор: Ren Wang Название: IUTAM Symposium on Rheology of Bodies with Defects ISBN: 9401738297 ISBN-13(EAN): 9789401738293 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 104480.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: Proceedings of the IUTAM Symposium held in Beijing, China, 2-5 September 1997
Автор: Balluffi Robert W Название: Introduction To Elasticity Theory For Crystal Defects (Second Edition) ISBN: 9814749729 ISBN-13(EAN): 9789814749725 Издательство: World Scientific Publishing Рейтинг: Цена: 59130.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: The book presents a unified and self-sufficient and reader-friendly introduction to the anisotropic elasticity theory necessary to model a wide range of point, line, planar and volume type crystal defects (e.g., vacancies, dislocations, interfaces, inhomogeneities and inclusions).
Автор: Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer Название: Charged Semiconductor Defects ISBN: 1849968209 ISBN-13(EAN): 9781849968201 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 174130.00 T Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ. Описание: "Charged Defects in Semiconductors" details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.
Казахстан, 010000 г. Астана, проспект Туран 43/5, НП2 (офис 2) ТОО "Логобук" Тел:+7 707 857-29-98 ,+7(7172) 65-23-70 www.logobook.kz
