Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7 707 857-29-98
  +7(7172) 65-23-70
  10:00-18:00 пн-пт
  shop@logobook.kz
   
    Поиск книг                        
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Бестселлеры | |
 

Finding Your Forever Love: Creating and Keeping the Magic in Your Relationship, Schottky-Osterholt Connie


Варианты приобретения
Цена: 13750.00T
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: 128 шт.  
При оформлении заказа до: 2025-07-23
Ориентировочная дата поставки: конец Сентября - начало Октября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Schottky-Osterholt Connie
Название:  Finding Your Forever Love: Creating and Keeping the Magic in Your Relationship
ISBN: 9781600376832
Издательство: Morgan James Publishing
Классификация:
ISBN-10: 1600376835
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 144
Вес: 0.20 кг.
Дата издания: 01.02.2010
Язык: English
Размер: 216 x 140 x 6
Поставляется из: США
Описание: Dr. Schottky-Osterholt presents this collection of practical approaches to create a fulfilling relationship and offers advice on how to improve an existing one.

Schottky Barriers: An Overview

Автор: Saul T. Redd
Название: Schottky Barriers: An Overview
ISBN: 1536186813 ISBN-13(EAN): 9781536186819
Издательство: Nova Science
Рейтинг:
Цена: 89750.00 T
Наличие на складе: Невозможна поставка.
Описание: A Schottky barrier is an electrostatic interface between a metal and a semiconductor that plays a vital role in many electronic devices. Schottky Barriers: An Overview opens with a brief review of the metal-semiconductor Schottky junction, the basic charge transport theory and the issues associated with these barriers. Additionally, the authors provide an overview of recent developments in the field of Schottky contacts to ZnO and related materials, such as ZnMgO, BeZnO, and BeMgZnO. Despite the fundamental importance of Schottky barrier height, the mechanisms which control the barrier formation are still far from understood. As such, for a better understanding of Schottky barriers and barrier height, the authors discuss various empirical models. In closing, AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with and without in-situ silicon carbon nitride cap layers are investigated, with the fabricated SBD with a SiCN cap layer exhibiting improved electrical characteristics.


Казахстан, 010000 г. Астана, проспект Туран 43/5, НП2 (офис 2)
ТОО "Логобук" Тел:+7 707 857-29-98 ,+7(7172) 65-23-70 www.logobook.kz
Kaspi QR
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия