Capacitance-Voltage Study on the Effects of Low Energy Electron Radiation on Al0.27ga0.73n/Gan High Electron Mobility Transistor 9781288405893

Варианты приобретения

Цена: 71050.00T
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: 130 шт.
При оформлении заказа до: 2025-07-23
Ориентировочная дата поставки: конец Сентября - начало Октября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Jarzen Thomas D.
Название: Capacitance-Voltage Study on the Effects of Low Energy Electron Radiation on Al0.27ga0.73n/Gan High Electron Mobility Transistor
ISBN: 9781288405893
Издательство: Biblioscholar
Классификация:

Образование

ISBN-10: 1288405898
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 146
Вес: 0.27 кг.
Дата издания: 01.12.2012
Язык: English
Размер: 246 x 189 x 8
Читательская аудитория: General (us: trade)
Рейтинг:
Поставляется из: США

Capacitance-Voltage Study on the Effects of Low Energy Electron Radiation on Al0.27ga0.73n/Gan High Electron Mobility Transistor, Jarzen Thomas D.